甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪报告：持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
以下为研究报告摘要：
核心观点
NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，SLC NAND价格或将温和上涨。根据DRAMexchange，上周（0520-0524）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.67%至1.33%，平均涨跌幅为-0.23%。其中7个料号价格持平，6个料号价格上涨，9个料号价格下跌。根据证券时报网报道，展望后市兆易创新公司高管预计，鉴于SLC NAND需求回暖和价格上涨比利基DRAM大约晚一个季度，判断SLC NAND未来价格将温和上涨。
DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子3D DRAM堆叠至16层。根据DRAMexchange，上周（0520-0524）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至0.25%，平均涨跌幅为-0.63%。上周3个料号呈上涨趋势，15个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子成功将下一代存储半导体3D DRAM堆叠到16层。3D DRAM是一种称为“垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)”的下一代存储器，其概念是像堆叠纸张一样垂直堆叠DRAM单元。三星电子通过VS-CAT和垂直通道晶体管(VCT)等，旨在在下一代DRAM市场中拉开技术差距。
HBM：美光2025年HBM供应谈判已基本完成，未来产能CAGR或达50%。根据CFM闪存市场报道，美光HBM业务规模在2025会计年度将增长至数十亿美元。美光2025年HBM供应谈判基本上已经完成，已与下游客户基本敲定了2025年HBM订单的规模和价格。美光预测，在未来数年间其HBM的位元产能的复合年成长率将达到50%。
市场端：渠道和行业部分SSD价格小幅下调。上周（0520-0524）eMMC价格与UFS价格持平。根据DRAMeXchange报道，市场整体需求氛围表现不佳，现货市场卖压持续扩大，终端需求亦未见好转，原厂端虽积极拉抬官价，但仅在SSD部分造成微幅波动，零星成交，无法拉抬并带动整体买气，wafer及eMMC报价方面持续下探。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（甬兴证券 陈宇哲）
