据香港证券交易所6月12日公告，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（下称“英诺赛科”）已递交上市申请，拟香港主板挂牌上市。联席保荐人为中金公司和招银国际。
英诺赛科成立于2015年，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，注册资本为8.34亿元，实际控制人为创始人、董事长及执行董事骆薇薇，其直接持股比例为5.9%，间接持股比例为23.1%。其余三名执行董事则分别为Jay Hyung Son、吴金刚和钟山。骆薇薇与Jay Hyung Son均是美国籍。
英诺赛科计划将50%的募资资金用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能，计划从2023年的每月1万片晶圆扩大到未来5年每月7万片晶圆；将15%的募资用于研发和扩大氮化镓产品组合；此外，将募资用于扩大分销网络等。
英诺赛科对融资依赖度较高：2024年4月刚刚完成E轮融资，融资金额为6.5亿元；A、B、C、D轮的融资金额分别为5500万元、15.02亿元、14.18亿元、26.09亿元，合计融资金额超过60亿元。上市前， 英诺赛科估值达到235亿元。
2021-2023年，英诺赛科的收入分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元。2021-2023年，英诺赛科亏损金额分别为34亿元、22.05亿元和11.02亿元，合计67.07亿元；经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元和10.16亿元，合计33.74亿元。亏损原因主要是生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加。
2021-2023年，英诺赛科的销售及营销开支分别为2840万元、6930万元和9010万元；研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元和3.48亿元。英诺赛科称，未来可能继续产生亏损，且无法保证最后会达到预期的盈利能力。
值得注意的是，英诺赛科面临来自竞争对手的三项专利侵权诉讼，如果判决不利，可能会面临禁止生产或销售涉案产品，或责令支付赔偿的风险。
据相关媒体报道，2023年，氮化镓(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，涵盖了EPC专有的增强型氮化镓(GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。
今年3月，英飞凌在其官网发布消息称，为防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。
【责任编辑：朱羚 】
