近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队携手合作者，开发出一种热处理升降温速率可达每秒1000摄氏度的“闪速退火”工艺，成功制备出晶圆级高性能储能薄膜。相关成果于11月15日凌晨发表在《科学进展》期刊上，为下一代高性能储能电容器件的制造开辟了一条新路径。（新华社）
近日，中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员团队携手合作者，开发出一种热处理升降温速率可达每秒1000摄氏度的“闪速退火”工艺，成功制备出晶圆级高性能储能薄膜。相关成果于11月15日凌晨发表在《科学进展》期刊上，为下一代高性能储能电容器件的制造开辟了一条新路径。（新华社）
【责任编辑：李扬子】
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