存储“超级周期”遭遇考验?扩产预期引发龙头股价巨震

科技股抛售卷土重来。今日,韩国股市两大存储龙头大跌,SK海力士股价下跌8.76%,三星电子跌5.77%。A股市场,中韩半导体ETF(513310)单日大跌6.63%。

消息面上,SK海力士与三星电子均计划在明年提高部分存储产品的产量。

据韩国经济日报报道,韩国内存芯片巨头SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM(1c DRAM)月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片,增幅达8至9倍,占其DRAM总产能的三分之一以上。

1c DRAM是一种尖端的通用DRAM,并非用于HBM,而是用于制造最新的通用DRAM,例如 DDR5、低功耗DDR(LPDDR)和GDDR7。AI推理主要依赖于先进的通用DRAM,其能效更高、成本更低。报道称,扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品,以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。

与此同时,该公司即将用于英伟达HBM4的10nm第五代DRAM的产能扩张也在进行中,位于韩国忠清北道清州园区的全新工厂“M15X”将于今年年底投产,该工厂将配备一条1b DRAM生产线,月均进料量为6万片晶圆。

鉴于SK海力士在DRAM领域的积极投资步伐,业内人士预测,该公司今年的设施投资额预计约为25万亿韩元,而明年将轻松超过30万亿韩元。

随着AI推理需求日益增长,比HBM更具成本效益的尖端通用DRAM的需求水涨船高。

据ETNews此前报道,为重夺DRAM市场领导地位,三星计划到2026年底将其10纳米第六代DRAM(1c DRAM)的月产能扩大到20万片晶圆。

除了供给端将来的变化,龙头股价巨震与市场情绪不无关系。尽管英伟达强劲财报一度提振了投资者信心,加之谷歌图像生成模型Nano Banana迎来重磅更新,但市场对人工智能相关股票估值过高的担忧仍在加剧。

周四,美股三大指数上演过山车式行情,最终悉数收跌,道琼斯指数跌0.84%,标普500指数跌1.56%,纳斯达克综合指数跌2.15%;大型科技股集体下挫,英伟达跌超3%,AMD跌超7%,甲骨文跌超6%,特斯拉、亚马逊跌超2%,微软跌超1%。

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