甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：渠道仍处于下行通道，三星持续推进HBM4。 

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，群联称NAND模组需求持续上升。根据DRAMexchange，上周（1021-1025）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.87%至1.12%，平均涨跌幅为0.15%。其中11个料号价格持平，7个料号价格上涨，4个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联表示，2024年前三季整体NAND位元数总出货量的年成长率达到30%，创历史同期新高，表明市场对于高容量的NAND存储模组产品的需求趋势持续上升。

DRAM：颗粒价格小幅下跌，南亚科技与铠侠将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管DRAM技术。根据DRAMexchange，上周（1021-1025）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.87%至2.90%，平均涨跌幅为-0.76%。上周1个料号呈上涨趋势，15个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。南亚科技与铠侠将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管DRAM技术，专注于降低功耗并实现极低的漏电流。该技术通过改进制造工艺来增强电路集成度，以满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求，包括人工智能驱动的设备、后5G通信和物联网，为内存小型化和省电提供显著优势。

HBM：三星持续推进HBM4。三星HBM4流片工作预计将于2024年第四季度开始，预计HBM4测试产品将于2025年初左右发布，验证产品的运行后，预计将进行设计和工艺改进。三星计划采用1cDRAM作为HBM4核心芯片，并通过代工4nm工艺量产逻辑芯片。因此三星电子必须提高1c DRAM的量产良率，才能满足HBM4内部量产进度。

市场端：渠道仍处于下行通道，行业市场价格全线下调。上周（1021-1025）eMMC价格环比持平，UFS价格环比持平。随着上游部分产能不断增加，部分资源出现供应过剩，渠道现货资源已持续一段时间缓跌，而需求端整体上仍疲弱不堪，本周存储现货市场多数价格仍处于下行通道。具体来看，渠道端虽需求出现季节性回温，但客户对于价格接受度仍偏低，且对后市持看跌态度，令部分SSD产品价格小跌；嵌入式方面，部分资源供应逐步增多，存储厂商货源选择多样，部分LPDDR产品价格调降；而行业市场由于PC市场需求持续萎靡不振，存储厂商随着低价库存出清，令其当前库存成本逐渐升高，后续或将进一步让利并加速出货，以达更有效地减轻库存压力，本周行业SSD和内存条价格全线下调。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（ 甬兴证券 陈宇哲,林致 ）

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