甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子开发基于第八代V~NAND的车载SSD，SK海力士量产12层HBM3E。

 以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星电子成功开发基于第八代V-NAND的车载SSD。根据DRAMexchange，上周（0923-0927）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.81%至9.91%，平均涨跌幅为1.35%。其中0个料号价格持平，17个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe4.0车载SSD，采用三星自研5nm控制器，用户将初始的三层单元（TLC）状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。

DRAM：颗粒价格小幅下跌，华邦电强劲的AI需求使主要供货商专注于HBM和主流DRAM。根据DRAMexchange，上周（0923-0927）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.90%至0.98%，平均涨跌幅为-0.93%。上周1个料号呈上涨趋势，17个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，华邦电子表示，NOR接近供需平衡的状态预计将持续2024年全年，上半年各渠道的SLCNAND存货需要时间消化；预计2025年供需将吃紧；强劲的AI需求使主要供货商专注于HBM和主流DRAM。

HBM：SK海力士量产12层HBM3E。根据CFM闪存市场报道，SK海力士宣布量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。

市场端：渠道和行业SSD价格下调。上周（0923-0927）eMMC价格环比下跌1.84%，UFS价格下跌2.88%。根据CFM闪存市场报道，渠道市场连续三周相对稳定的局面被打破，除SATA3120GB SSD以外，本周渠道内存条和SSD普遍价格出现下调。近期，随着海外“黑五”备货潮逐渐来临，渠道市场询单热情逐步升高，整体来看海外需求相对国内来说较好；但客户的价格接受度低，渠道厂商纷纷竞价求售，尤其是大容量SSD，杀价竞争愈演愈烈。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（甬兴证券 陈宇哲）

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