国金证券近日发布电力设备与新能源行业研究：六氟化钨（WF₆）是半导体CVD制程中沉积钨膜唯一商用前驱体气体，下游AI算力需求驱动全球存储晶圆大规模扩产，芯片制程迭代抬升单晶圆用量；中国钨原料出口管制造成日本两大WF₆厂商减产，中期供给缺口显著；供需错配叠加钨粉价格上移，26年国内外WF₆价格大幅上行。我们看好后续国产厂商实现全球份额+单位盈利双提升。
以下为研究报告摘要：
投资逻辑：
六氟化钨（WF₆）是半导体CVD制程中沉积钨膜唯一商用前驱体气体，下游AI算力需求驱动全球存储晶圆大规模扩产，芯片制程迭代抬升单晶圆用量；中国钨原料出口管制造成日本两大WF₆厂商减产，中期供给缺口显著；供需错配叠加钨粉价格上移，26年国内外WF₆价格大幅上行。我们看好后续国产厂商实现全球份额+单位盈利双提升。
需求端：存储处于扩产周期+工艺迭代抬升单耗，全球需求持续增长。产业在线数据显示，全球WF₆消费量由20年4620吨增至25年8901吨，复合增速14%，2030年有望达15050吨，年复合增速预计11%，增长基于：
1）海内外晶圆厂大规模资本开支释放需求增量。①海外：三星扩建平泽P4、光州NAND基地；SK海力士514亿美元新建清州NAND工厂，目标30年DRAM月产能近100万片；美光93亿美元扩建日本广岛HBM产线，预计28年出货，美国、新加坡产线持续落地。②国内：长江存储武汉三期预计26年投产；长鑫科技募资295亿元扩建DRAM与HBM产线；中芯国际、华虹无锡九厂、晶合、粤芯等持续扩产，26-28年国内晶圆产能集中释放。
2）工艺迭代抬升单耗。①3D NAND：垂直堆叠架构每一层字线均需WF₆填充，行业从128层向300层以上迭代，单片用量大幅提升；②HBM高带宽存储：互连密度、接触孔数量远超普通DRAM，单耗显著高于标准存储；③先进逻辑芯片：7/5/3nm制程晶体管密度持续提升，接触孔数量增加，单片耗材稳步上行。
供给端：日系高端产能刚性收缩，国产替代迎来黄金窗口。
1）国内钨出口管制造成日系减产，供给缺口刚性显现。当前全球WF₆总产能约10000吨，日本关东电化+中央硝子产能占比20%以上，韩国SK Specialty+Foosung产能占比25%-30%，过去海外头部晶圆厂高度依赖日韩货源。中国钨资源占全球供给80%以上，但受到两用物项出口管制，26年2-4月中国对日钨粉出口量归零，日本两大供应商已正式通知台积电、三星、SK海力士停止供货。电子特气头部晶圆厂供应商导入周期长达2-5年，纯化工艺、杂质控制、连续稳定量产能力构成多重技术壁垒，预计缺口中期难被补齐。
2）国产企业迎份额提升机遇。当前中船特气/昊华科技/中巨芯产能2000/600/600吨，中船特气覆盖台积电、美光、铠侠、英飞凌等海外大厂；中巨芯已突破国内中芯、华虹；昊华科技已给国内多家主流半导体厂商批量供货，同步推进海内外客户认证。我们认为当前已具备供货能力的国产企业份额将充分受益于日系产能的降低，此前海外拓展有限的企业预计也将迎来海外客户验证机遇。国产企业迎来份额提升+享受国际定价的窗口期。
供需错配+钨粉价上涨双重驱动，致WF₆价格大幅上行。根据中国海关数据，26年1-5月WF₆出口单价分别为69/69/117/150/211美元/kg，5月同比涨幅达312%。国内现货市场6月5N级WF₆报价1670-1810元/公斤，同比上涨232.7%；6N产品报价220-300万元/吨，较4月初涨幅超190%；7N长协价330-360万元/吨。韩国SKS、Foosung26年产品涨价70%-90%。行业调价机制由年度长协调价，逐步切换为季度、月度联动调价，原料上涨可快速向下游晶圆厂传导；部分海外客户已提出以长协锁定订单，价格让步换取增量供应保障，国产产品盈利空间持续拓宽。
投资建议与估值
重点关注兼具产能+全球客户供应能力的中船特气、昊华科技、中巨芯。1）中船特气：国内WF₆龙头，当前/27年形成产能预计2000/3000吨，已完成台积电、美光、海力士等头部晶圆厂认证；2）昊华科技：现有600吨产能，产品已通过国内多家晶圆厂验证，公司经营底盘稳健，电子特气业务预计贡献增量；3）中巨芯：拥有600吨高纯六氟化钨产能，深度绑定中芯国际、华虹集团等本土核心晶圆，未来海外市场也将寻求更大突破。
风险提示
日系厂商供给修复；国内新增产能过大；晶圆厂扩产不及预期；上游钨价波动；客户认证不及预期；以钼代钨风险。（国金证券 姚遥）
