29日，SK海力士披露第二季度财报。
第二季度，SK海力士销售额达79.32万亿韩元(约合人民币3688.38亿元)，同比增长257%，不及预期的84万亿韩元；营业利润为60.54万亿韩元(约合人民币2815.11亿元)，再次创历史新高，同比增长557%，超越2025年全年，但同样不及预期的64.22万亿韩元；净利润激增1242%，达93.92万亿韩元(约合人民币4367.28亿元)。
韩联社指出，这一业绩归功于AI基础设施投资增加所带来的持续强劲需求，推动了面向AI服务器的高性能产品价格上涨。
SK海力士表示，“DRAM和NAND闪存价格均大幅上涨，延续了上一季度的趋势。”该公司补充称，通过扩大以高带宽内存(HBM)、AI服务器用DRAM及企业级SSD等高价值产品为核心的销售，公司实现了盈利能力的峰值。
三大原因
据韩国《朝 鲜日报》分析，SK海力士第二季度业绩未达到预期，主要归因于三个方面。
首先，由于用于AI加速器的高带宽内存(HBM)在公司总销售额中占比较高，相比竞争对手，其对营业利润的提振作用相对有限。近期半导体行业的利润激增主要由通用存储芯片价格飙升所驱动，而HBM销售占比高的企业从这一趋势中获益较少。
SK海力士表示，HBM4已达到客户要求的运行速度，并具备行业领先的能效和成本竞争力；公司已于第二季度开始批量出货，并计划在下半年扩大产能。此外，公司还宣布已于上半年向主要客户完成了下一代HBM4E产品的样品交付。
其次，尽管存储芯片价格已连续数月上涨并达到高位，但第二季度的涨幅有所放缓。SK海力士财报显示，通用DRAM芯片价格环比涨幅约为30%，NAND闪存价格环比涨幅为50%至55%，与第一季度的涨幅相比增速有所回落。
第三，SK海力士与主要客户签订了长期供应协议(LTA)，锁定了销售价格，从而限制了其从市场价格上涨中获益的幅度。据业内人士透露，SK海力士通过将约50%的营收与这些长期合同挂钩，确保了业务的稳定性。公司确认已与包括主要客户在内的约十家客户敲定了LTA谈判。
《朝 鲜日报》表示，预计SK海力士下半年的业绩将显著改善。据金融信息服务商FnGuide预测，SK海力士今年第三季度的销售额和营业利润预计将分别达到约100万亿韩元和78万亿韩元。特别是随着英伟达计划启动新款“Vera Rubin”AI加速器的量产，SK海力士将搭载于该芯片的HBM4产品的销量预计将从下半年起大幅增长。此外，随着AI智能体应用日益普及，存储器需求预计将随之上升；同时，新款智能手机机型的发布也有望进一步加剧存储器供应短缺的局面。
股价已大跌
财报公布后，SK海力士ADR美股盘后大幅跳水，一度跌超8%。
隔夜美股市场上，SK海力士ADR收跌近9%，最新报130.17美元，自7月10日上市以来不到3周已跌破发行价。而在7月28日韩国市场上，SK海力士暴跌超14%，股价报155万韩元，较高点逼近腰斩。
《华尔街日报》资深市场专栏作家詹姆斯·麦金托什(James Mackintosh)近期指出，SK海力士ADR自上市以来，溢价率已飙升至16%至51%之间。他表示，美国投资者为了省去寻找能直接交易这家韩国公司股票的经纪商的麻烦，不惜支付高昂的代价。他将这一现象描述为投资者在购买存储半导体股票时往往支付过高价格的一个例证，并称如此巨大的ADR溢价是“市场上不应发生的事情”。
简而言之，在韩国交易的SK海力士普通股与在美国上市的ADR之间的价差，已达到异常水平。
麦金托什解释说，SK海力士普通股无法转换为ADR，构成了此次投资中的一项风险。一旦溢价进一步扩大，投资者可能面临重大损失；对冲基金在试图回补此前为做空而借入的股票时，也可能会面临日益增加的亏损。
